Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD12NM50ND
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD12NM50ND
STD12NM50ND Hakkında
STD12NM50ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 11A sürekli drain akımı kapasitesi ve 380mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. ±25V gate gerilim aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar işletim sıcaklığına dayanabilir. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulur. Güç dönüştürücüler, motor sürücüler, enerji yönetim devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılan endüstriyel bir komponenttir. (Not: Ürün Obsolete durumundadır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok