Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD12N65M5
STD12N65M5 Hakkında
STD12N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 8.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, 430mΩ on-state direnç (10V gate voltajında 4.3A drain akımında) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 22nC gate yükü ve 900pF giriş kapasitesi ile hızlı komütasyon özellikleri sunar. Maximum 150°C işletme sıcaklığında 70W güç dağıtabilir. ±25V maksimum gate voltajı aralığında çalışır ve 5V eşik voltajında (250µA drain akımında) iletim başlar. Güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok