Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD12N65M2
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD12N65M2
STD12N65M2 Hakkında
STD12N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source geriliminde 8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde 500mOhm maksimum on-state direnci ile düşük kayıp uygulamaları destekler. 16.5nC gate charge ve 535pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, LED aydınlatma uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok