Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD12N60M2
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD12N60M2
STD12N60M2 Hakkında
STD12N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 9A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç aktarımı sağlar. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devre tasarımlarında, güç kaynakları, motor kontrol, DC/DC dönüştürücü ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±25V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum işletme sıcaklığına dayanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 538 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok