Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD12N50DM2
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD12N50DM2
STD12N50DM2 Hakkında
STD12N50DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Rds(on) değeri 10V Vgs'de 350mΩ olup, 110W güç dağıtabilir. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±25V maksimum gate gerilimi ile güvenli kontrollenebilmesi, endüstriyel ve tüketici elektronik tasarımlarında yaygın olarak kullanılmasını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 628 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok