Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD120N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD120N4F6
STD120N4F6 Hakkında
STD120N4F6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 80A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 4mΩ maksimum gate açık direnci (Rds On) ile düşük kayıplar sağlayan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışmaktadır. 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiş tasarımı, endüstriyel kontrol, otoomotiv ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygun hale getirmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok