Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD11NM65N
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD11NM65N
STD11NM65N Hakkında
STD11NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (455mΩ @ 10V) ve 29nC gate charge değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 110W maksimum güç disipasyonu kapasitesi, enerji dönüştürücüleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±25V maksimum gate gerilimi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 455mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok