Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD11NM60ND
STD11NM60ND Hakkında
STD11NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 450mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimalize eder. Surface Mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, AC/DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±25V gate gerilimi kapasitesi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile geniş çalışma aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok