Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD11NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD11NM60N
STD11NM60N-1 Hakkında
STD11NM60N-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 450mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 90W güç yayılımına dayanır. Gate charge değeri 31nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok