Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD11NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD11NM60N
STD11NM60N Hakkında
STD11NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü görevlerinde kullanılır. 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dağılımı sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, solar inverter, LED sürücü devreleri ve diğer güç elektronik uygulamalarında yer alır. Maksimum 90W güç dağılımı kapasitesi ile orta güç seviyesi anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok