Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD11NM50N

MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD11NM50N

STD11NM50N Hakkında

STD11NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 8.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 470mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface Mount TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, power supply devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yer alır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığı ve 70W güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 547 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok