Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD11N65M5
MOSFET N CH 650V 9A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD11N65M5
STD11N65M5 Hakkında
STD11N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve AC-DC güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 480mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±25V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında 85W güç dağıtabilir. 17nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama için uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok