Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD11N60DM2
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD11N60DM2
STD11N60DM2 Hakkında
STD11N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj dayanımı ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPAK) paket tipiyle surface mount montajına uygun tasarlanmıştır. 420mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir çalışma gösterir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 16.5nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 614 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok