Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD110N8F6
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD110N8F6
STD110N8F6 Hakkında
STD110N8F6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 80A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 6.5mΩ (max) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, LED sürücüler ve akü yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V maksimum gate voltajı, 150nC gate yükü ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9130 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok