Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD110N02RT4G

MOSFET N-CH 24V 32A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD110N02RT4G

STD110N02RT4G Hakkında

STD110N02RT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 24V drain-source gerilimi ile 32A sürekli akım yeteneğine sahip olup, 4.6mΩ (10V, 20A) düşük RDS(on) değeri sunar. TO-252 (DPAK) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 110W (Tc) güç saçma kapasitesine ve 28nC gate charge değerine sahiptir. Hızlı anahtarlama ve düşük kapalı durum direnci ile verimli enerji iletimi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 24 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok