Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD10NM65N
STD10NM65N Hakkında
STD10NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. DPAK (TO-252-3) paket türünde sunulan transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve endüstriyel kontrolleyici uygulamalarında kullanılmaktadır. 480mΩ maksimum on-direnç (10V, 4.5A) ile verimli güç denetimi sağlar. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir ve 90W güç atabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok