Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD10NM60ND
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD10NM60ND
STD10NM60ND Hakkında
STD10NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) direnci sunarak verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPAK) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 20nC gate charge ve 577pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 577 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok