Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD10NM60N
STD10NM60N Hakkında
STD10NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V dren-kaynak gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 550mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulmuş olup yüksek güç disipasyonu gerektiren devreler, SMPS (Switched-Mode Power Supply), motor sürücüleri ve diyot yerine geçme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 70W maksimum güç disipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok