Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD10N60M6
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD10N60M6
STD10N60M6 Hakkında
STD10N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj dayanımı ve 6.4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 10V gate sürücü voltajında 600mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, AC adaptörleri, sürücü devreler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 60W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 338 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok