Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD10N60DM2
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD10N60DM2
STD10N60DM2 Hakkında
STD10N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarına uygundur. TO-252 DPak paket tipinde surface mount teknolojisi ile tasarlanmıştır. 530mOhm maksimum on-direnci (10V gate geriliminde, 4A drenaj akımında) ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, UPS sistemleri ve motor kontrol devrelerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 529 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 109W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok