Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD105N10F7AG

MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD105N10F7

STD105N10F7AG Hakkında

STD105N10F7AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevlerinde kullanılır. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan transistör, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 120W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4369 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok