Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD100N10LF7AG

MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD100N10LF7AG

STD100N10LF7AG Hakkında

STD100N10LF7AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 9mΩ @ 40A ile düşük RDS(on) değerine sahip olup, -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 125W maksimum güç tüketimi ve ±20V maksimum gate gerilimi özelliklerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok