Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB9NK80Z
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB9NK80Z
STB9NK80Z Hakkında
STB9NK80Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 800V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 5.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilir ve 40nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulur. Anahtarlamalı güç kaynakları, inverterler, motor kontrolü ve endüstriyel güç elektronik devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar ve 125W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1138 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok