Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB8NM60D
MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB8NM60D
STB8NM60D Hakkında
STB8NM60D, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji dönüştürme, güç kontrol ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar gerçekleştirmeye imkân tanır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel konvertörler, şarj devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 100W güç dağıtım kapasitesi ile termal yönetim gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok