Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB8N90K5

MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB8N90K5

STB8N90K5 Hakkında

STB8N90K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilim değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8A sürekli drain akımı kapasitesi ve 130W maksimum güç tüketimiyle endüstriyel ve enerji dönüştürme uygulamalarına uygundur. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, anahtarlama hızı gerektiren güç elektronikleri, SMPS devreleri, motor sürücüleri ve yüksek voltaj dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 10V kapı geriliminde 800mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 1.17A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok