Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB80NF55L-08-1
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB80NF55L
STB80NF55L-08-1 Hakkında
STB80NF55L-08-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 5V ve 10V gate sürüş gerilimlerinde çalışabilir, maksimum çalışma sıcaklığı 175°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok