Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB80NF55-06-1
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB80NF55-06
STB80NF55-06-1 Hakkında
STB80NF55-06-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörü, 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 6.5 mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketindeki bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında, 300W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari sistemlerde geniş kullanım alanı bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 189 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok