Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB80NE03L-06T4

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB80NE03L

STB80NE03L-06T4 Hakkında

STB80NE03L-06T4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 80A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, düşük 6mΩ on-resistance (Rds) değeriyle verimli güç yönetimi sağlar. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketiyle tasarlanan STB80NE03L, anahtarlama uygulamaları, AC/DC konverterler, motor sürücüleri ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında ve maksimum 150W güç dağılımında çalışabilir. 10V gate geriliminde maksimum 130nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok