Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB7NK80Z-1
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB7NK80Z
STB7NK80Z-1 Hakkında
STB7NK80Z-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. 5.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 1.8Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262 I²Pak paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj konvertörlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 125W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1138 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok