Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB7N52K3
MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB7N52K3
STB7N52K3 Hakkında
STB7N52K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 525V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde maksimum 980mOhm on-state direncine sahiptir. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 90W güç dağılma kapasitesiyle güç kaynakları, motor kontrol devreleri, indüktif yükler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (34nC) ve input kapasitansı (737pF) sürücü devrelerine azaltılmış yük sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 525 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 737 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok