Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB7ANM60N
STB7ANM60N Hakkında
STB7ANM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürülme gerilimi ile kontrol edilen bu bileşen, 900mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Surface Mount D2PAK (TO-263) paketinde sunulan STB7ANM60N, güç yönetimi, AC-DC konvertörler, boost dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±25V maksimum gate gerilimi ile güvenli çalışma sağlar ve 150°C maksimum junction sıcaklığında 45W'a kadar güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok