Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB6NM60N
MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB6NM60N
STB6NM60N Hakkında
STB6NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 4.6A sürekli drain akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 45W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 920mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama işlemlerinde düşük kayıplar sağlar. Geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur. Güç dönüştürücüler, şarj cihazları ve motor sürücü devreleri gibi yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. (Not: Parça artık üretilmemektedir.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok