Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB6N80K5

MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB6N80K5

STB6N80K5 Hakkında

STB6N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V/4.5A N-channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.6Ω @ 2A, 10V RDS(on) değeri ile sağlam anahtarlama özelliği sunmaktadır. 7.5nC @ 10V gate charge ve 255pF @ 100V input capacitance değerleriyle RF ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 85W maximum güç dağılımı kapasitesine sahip olan cihaz, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygundur. Sürücü teknolojileri, AC/DC güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 255 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok