Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB6N65M2
STB6N65M2 Hakkında
STB6N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paket formatında sunulan bu bileşen, 1.35Ω maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik özelliği sağlar. Gate charge 9.8nC ile düşük sürüş gereksinimleri ve 60W maksimum güç yayılımı kapasitesi vardır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli şekilde kullanılabilir. İlgili parçalar: ürün statüsü Obsolete olup, yeni tasarımlarda alternatif seçim önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 226 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok