Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB6N62K3

MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB6N62K3

STB6N62K3 Hakkında

STB6N62K3, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 620V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 1.2Ω RDS(on) direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığını destekler. Güç kaynakları, motor kontrolü, inverter devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir. Gate charge değeri 34nC olup, hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Mevcut durumu itibariyle obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 620 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok