Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB6N52K3

MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB6N52K3

STB6N52K3 Hakkında

STB6N52K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 525V drain-source voltajında 5A sürekli drenaj akımı sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile dönem tasarımlarında kullanılmıştır. 10V kapı voltajında 1.2Ω RDS(on) ile düşük iletim direnci sunar. Gate charge 26nC ve input capacitance 670pF özellikleriyle hızlı anahtarlama yapabilir. Maksimum 150°C üzeri sıcaklıkta çalışır, 70W güç disipasyonu kapasitesindedir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel denetim sistemlerinde kullanılabilir. Ürün statüsü kullanımdan kaldırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 525 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok