Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB60NF10-1

MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
STB60NF10

STB60NF10-1 Hakkında

STB60NF10-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 23mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp özelliği sağlar. TO-262-3 (I²Pak) kasa türünde through-hole montajı destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, inverterler ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. 10V gate sürme gerilimi ile standart lojik devreleriyle uyumludur. Maximum 300W güç harcaması ile ısıl yönetim gerektiren yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4270 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok