Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB5N80K5

MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB5N80K5

STB5N80K5 Hakkında

STB5N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-channel MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 1.75Ω maksimum RDS(On) değerine sahiptir. ±30V gate voltaj toleransı ile geniş çalışma alanı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertör devreleri ve endüstriyel kontrolü gerektiren sistemlerde kullanılır. 60W güç dağıtım kapasitesi ile enerji aktarımı uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 177 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok