Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB5N52K3

MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB5N52K3

STB5N52K3 Hakkında

STB5N52K3, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 525V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu komponent, 1.5Ω maximum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. Gate charge karakteristiği 17nC olup, 10V drive voltage ile çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında operasyon yapan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konverterler, güç yönetim uygulamaları ve endüstriyel switching devrelerde kullanılır. 70W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 525 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok