Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB57N65M5

MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB57N65M5

STB57N65M5 Hakkında

STB57N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 42A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 63mOhm On-resistance (10V Vgs'de 21A'da) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 250W güç dağıtabilme kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilmesi, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. 98nC gate charge ve 4200pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok