Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB55NF06LT4

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB55NF06LT

STB55NF06LT4 Hakkında

STB55NF06LT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı (Vdss) ve 55A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı pakette gelmektedir. 10V drive voltajında maksimum 18mOhm gate-source direnç (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı regülatörler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 37nC gate şarjı (Qg) ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 27.5A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok