Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB50NE10T4
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB50NE10T4
STB50NE10T4 Hakkında
STB50NE10T4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance karakteristiği (27mOhm @ 25A, 10V) sayesinde verimli anahtarlama sağlar. -65°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrol, güç kaynakları, yük yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devreleri başta olmak üzere birçok uygulamada tercih edilen bir komponenttir. Maksimum 180W güç saçma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 166 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok