Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB50N65DM6
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB50N65DM6
STB50N65DM6 Hakkında
STB50N65DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim kapasitesi ve 33A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi içinde sunulmaktadır. Gate charge 52.5nC, Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 91mΩ'dur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreler, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 250W güç yayılım kapasitesi, sağlam yapısı ve düşük on-resistance değeriyle verimli anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok