Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB4NK60ZT4

MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB4NK60ZT4

STB4NK60ZT4 Hakkında

STB4NK60ZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış olup, D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığına sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 26nC gate yükü karakteristikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok