Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB4NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB4NK60Z
STB4NK60Z-1 Hakkında
STB4NK60Z-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Maximum 70W güç tüketimi ile enerji yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri düşük geçiş kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum işletme sıcaklığına dayanır. Not: Yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok