Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB4N62K3
STB4N62K3 Hakkında
STB4N62K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 620V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, anahtarlama güç kaynakları, AC adaptörleri, endüstriyel sürücüler ve diğer yüksek gerilim DC-DC dönüştürücü devrelerinde uygulanır. 1.95Ω maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde, 1.9A akımda) ve 70W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile verimli anahtarlama performansı sağlar. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 4.5V eşik gerilimi ile kontrol devrelerinin kolaylıkla arayüzlenebilmesine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok