Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB46N60M6

MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB46N60M6

STB46N60M6 Hakkında

STB46N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 36A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) SMD paket ile montajlanır. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 4.75V kapı eşik gerilimi ve 53.5nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama için uygundur. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 250W güç tüketme kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2340 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok