Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB45N65M5
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB45N65M5
STB45N65M5 Hakkında
STB45N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, şarj cihazları, endüstriyel kontrol sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 78mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Maximum 210W güç tüketimi kapasitesiyle ve -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3375 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 19.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok