Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB45N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB45N60DM2
STB45N60DM2AG Hakkında
STB45N60DM2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama kaynakları ve endüstriyel güç uygulamalarında yer alır. 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 250W güç dağılımı kapasitesiyle güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok