Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB45N50DM2AG
STB45N50DM2AG Hakkında
STB45N50DM2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 84mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 250W güç dağıtabilir. Gate şarj (Qg) 57nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek gerilimli anahtar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok